CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器是用于获取数字图像的两种不同器件。两者都有独特的优点和缺点，在不同的应用中具有各自的优势。CCD和CMOS成像均依靠光电效应从光产生电信号，两种类型的成像元件原理都是将光转换成电荷并将其处理成电子信号。在CCD传感器中，每个像素的电荷都通过数量非常有限的输出节点（通常只有一个）传输，然后转换为电压，进行缓冲并作为模拟信号在芯片外发送。所有像素均可用于光捕获，并且输出的均匀性（图像质量的关键因素）很高。在CMOS传感器中，每个像素都有其自己的电荷到电压的转换，并且该传感器通常还包括放大器，噪声校正和数字化电路，以便芯片输出数字信号。这些其他功能（较CCD而言）增加了设计复杂度，并减少了可用于捕获光的面积。每个像素进行转换时，均匀度会降低。CCD和CMOS成像器都是在1960年代末和1970年代发明的。CCD在一开始占主导地位，主要是因为它们可以利用已有的制造技术提供出色的图像。CMOS图像传感器需要更高的一致性和更小制造工艺，而当时的晶圆代工厂无法提供。
